【摘 要】
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本文回顾了碳化硅单晶材料的发展历程和研究现状。主要讨论了物理气相传输法、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法等SiC晶体生长方法,针对每种生长方法,阐述了其生长原理及研
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本文回顾了碳化硅单晶材料的发展历程和研究现状。主要讨论了物理气相传输法、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法等SiC晶体生长方法,针对每种生长方法,阐述了其生长原理及研究现状。
This paper reviews the development and research status of SiC single crystal materials. This paper mainly discusses SiC crystal growth methods such as physical vapor transport, high temperature chemical vapor deposition (HTCVD), liquid phase method and so on. For each growth method, its growth principle and research status are expounded.
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