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在具有不同钴含量(6%，10%和12%，质量分数)的硬质合金样品上进行系统试验。基于XPS和EDX检测方法，采用正交试验方法证明了酸浓度、酸处理时间和原始钴含量对去钴深度有显著影响。在此基础上，研究形核、纯氢气氛围加热及生长试验条件下基体温度、原始钴含量及去钴深度对钴演变的影响规律。得到金刚石薄膜涂层器件制备全过程中钴元素的演变机理，为WC-Co基体表面、尤其是高钴含量WC-Co基体表面高质量金刚石薄膜的沉积提供理论依据。结果表明：高钴基体通常表现出较快的钴扩散速度；较高的基体温度会促进预处理基体中的钴扩