【摘 要】
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以铜片和硒粉为原料,苯为溶剂,通过调控反应物的配比、反应物浓度、反应温度和反应时间等因素,采用溶剂热法直接在铜基底上制备出六方晶系的硒化铜纳米线薄膜.分别利用X-射线
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以铜片和硒粉为原料,苯为溶剂,通过调控反应物的配比、反应物浓度、反应温度和反应时间等因素,采用溶剂热法直接在铜基底上制备出六方晶系的硒化铜纳米线薄膜.分别利用X-射线转靶衍射仪（XRD）,场发射扫描电子显微镜（FESEM）,透射电子显微镜（TEM）表征了产物的晶体结构与形貌,探索了CuSe纳米线薄膜的形成过程,并使用荧光分光光度法（PL）对最终产物的性质进行了表征.实验结果表明：这种CuSe纳米线的直径为100～200 nm,长度为5μm,其荧光发光峰为301 nm.
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