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提出了一种针对单片集成开关电容DC-DC变换器进行优化的设计方案．阐述了开关电容DC-DC变换器电路的拓扑结构及其基本工作原理，给出了单片集成开关电容DC-DC变换器的等效电阻控制方法．考虑到集成工艺的兼容性问题，在电路设计时，用n沟MOSFET替代二极管；为了改善变换器的输出特性，在标准2μm p阱双层多晶硅单层金属CMOS工艺中增加了一次MOSFET阈值电压的调整步骤，实现了升压开关电容DC-DC变换器的单片集成，芯片面积为0．4mm^2，测试结果显示，在变换器输入电压为3V，输出电压为5V，电路开关