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准弹道输运特征的环栅纳米线MOSFET由于具备很强的栅控能力和抑制短沟道效应的能力，被认为是未来22nm技术节点以下半导体发展路线最有希望的候选者之一。采用传统CMOS工艺在SOI和体硅衬底上制备环栅纳米线MOSFET，解决了许多关键的技术难点，获得了许多突破性进展。文章综述了目前各种新颖的自顶向下制备方法和各种工艺的优缺点，以及优化的方向。