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为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片，本文利用高加速电压（100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法，对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验。模拟结果显示：Si3N4镂空薄膜衬底可以有效降低电子在抗蚀剂中传播时的背散射，进而改善高密度大高宽比容易引起的结构倒塌和粘连问题。通过调整电子束的曝光剂量，在500nm厚的镂空Si3N4薄膜衬底上制备出最外环宽度为150nm、金吸收体的厚度为1.6μm，高宽比大于10的硬X射线波带片