【摘 要】
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击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升。横向变掺杂(Variable Lateral
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目(61531016),四川省科技支撑计划重点项目(2017GZ0110)
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击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击穿电压的提升。横向变掺杂(Variable Lateral Doping)技术是调整深阱杂质的注入开窗和掩膜间距,在终端形成一个渐变的P型轻掺杂区,使反向偏压下终端区耗尽层边界的曲率半径变大。通过计算机仿真软件Sentaurus TCAD设计了一种650 V横向变掺杂结构终端。仿真结果表明,横向变掺杂结构终端可以有效缩小芯片面积和提高击穿电压,横向变掺杂结构终端的反向击穿电压为7
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