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阐述了高速突发模式外调制器电路的设计要点,着重讨论了消光比、啁啾对光发射机的影响,对匹配问题进行了详细讨论,设计了性能良好的前向匹配电路及电吸收调制器驱动电路,其工作速率为12 Gb/s,运用这些技术设计的光发射机消光比大于23.3 dB,啁啾小于13.4GHz.
高速光突发模式外调制器驱动电路设计
【摘 要】
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阐述了高速突发模式外调制器电路的设计要点,着重讨论了消光比、啁啾对光发射机的影响,对匹配问题进行了详细讨论,设计了性能良好的前向匹配电路及电吸收调制器驱动电路,其工
【机 构】
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电子科技大学教育部宽带光纤传输与通信网络技术重点实验室
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2005年5期
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