【摘 要】
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针对相控阵雷达T/R组件中应用广泛的GaN脉冲功率放大器,提出一种高压漏极脉冲调制电路。该电路包含高集成度的PMOS驱动器和高压PMOS管SM6103,并包含快速放电通道,该电路的输
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针对相控阵雷达T/R组件中应用广泛的GaN脉冲功率放大器,提出一种高压漏极脉冲调制电路。该电路包含高集成度的PMOS驱动器和高压PMOS管SM6103,并包含快速放电通道,该电路的输入信号为TTL信号、输出信号为+28 V脉冲信号。测试结果显示调制输出信号的上升沿小于40 ns,下降沿小于50 ns,输出电压过冲小于20%,电流驱动能力大于13 A。该脉冲调制电路结构简单、尺寸小,采用裸芯片以及铝丝键合工艺,满足T/R组件小型化的设计要求。
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