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利用化学气相沉积法（CVD），分别以三氧化二镓（Ga2O3）和氨气（NH3）为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓（GaN）薄膜，实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜（FESEM）、电子能量散射谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、高分辨电镜（HRTEM）和光致发光谱（PL）对样品进行分析，生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米，厚度数十纳米，薄膜表面平整、致密，没有裂纹或龟裂现象，与Si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处，同时出现了黄光