Ni诱导SiGe薄膜晶化烧结制备与热电势氢传感器件

来源 :仪表技术与传感器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenyanzhao12

【摘要】

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在玻璃衬底上采用RF溅射法制备非晶SiGe薄膜的基础上,采用金属Ni诱导法对所制备的薄膜进行晶化烧结,并以Pt催化氢氧化放热反应和SiGe薄膜的热电势效应为原理制备出了小型热电

【作者】

：

全宇军邱法斌申宇爽村山宣光

【机构】

：

吉林大学电子科学与工程学院,日本产业技术综合研究所

【出处】

：

仪表技术与传感器

【发表日期】

：

2004年11期

【关键词】

：

氢传感器 Ni诱导 Pt催化热电效应 Hydrogen SensorNi-inducedPt-catalyzedThermoelectric Effect

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在玻璃衬底上采用RF溅射法制备非晶SiGe薄膜的基础上,采用金属Ni诱导法对所制备的薄膜进行晶化烧结,并以Pt催化氢氧化放热反应和SiGe薄膜的热电势效应为原理制备出了小型热电势氢传感器.测试表明:以500℃烧结所得SiGe薄膜材料为敏感基体,在100℃工作温度下所制备的传感器对3%H2灵敏度为0.7 mV,检测的浓度范围大约为0.02%～5%,且输出电压随着烧结温度的升高而升高.

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