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采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验，目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时，首先对实验数据作拟合分析，建立起相关的数学模型，然后将模型值和实际值进行比较。可得到结论：实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式。对同一种器件，2种注入方式下的损伤模式相同或类似。方波注入下，各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系，ESD注入下则还不确定；对同一器件，不同注入方式下的阈值不同，目前结果表明相差2～3倍。