【摘 要】
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采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜
【机 构】
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重庆光电技术研究所,重庆教育学院,
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采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备Si3N4薄膜的优缺点。
Using low-pressure chemical vapor deposition system, respectively, the use of silane and dichloro-dihydrogen silicon as reaction gas source and ammonia reaction, prepared S3N4 film, and compared its characteristics. The experimental results show that the film prepared by the reaction of dichlorodihydrogen source with ammonia gas is superior to the other gas source. The advantages and disadvantages of preparing Si3N4 thin films respectively using silane and dichlorodihydrogen silicon source were discussed.
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