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二氧化锡（SnO2）是一种传统的n型半导体气敏材料，纳米化是改进和提高SnO2气敏特性的重要途径。对近几年来SnO2气敏材料纳米化的研究进行了介绍，主要针对几种典型的具有特殊形貌纳米结构的SnO2气敏材料合成方法和气敏特性等方面的研究成果进行了概述，并对这些特殊形貌纳米结构SnO2作为高性能气敏材料应用和发展的前景进行了展望。