【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法（PLD）,以Pt（111）/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射（XRD）分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜（SEM）及
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中国科学院研究生院
【基金项目】
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基金项目：国家高技术研究发展计划（863）项目（2006AA032308）
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采用脉冲激光沉积法（PLD）,以Pt（111）/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射（XRD）分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明,TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性,高低阻态比值达到10^4.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释,过程中存在软击穿现象.在此基础上,对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析.
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