退火温度对BZT薄膜介电性能的影响研究

来源 :材料保护 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunsarry

【摘要】

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采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。X射线衍射分析表明,该BZT薄膜为钙钛矿结构而无其它物相存在。光学显微镜分析结果表明,退火温度为900

【作者】

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【机构】

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重庆科技学院冶金与材料工程学院

【出处】

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材料保护

【发表日期】

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2013年S1期

【关键词】

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采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。X射线衍射分析表明,该BZT薄膜为钙钛矿结构而无其它物相存在。光学显微镜分析结果表明,退火温度为900℃时,BZT薄膜表面光滑平整,无裂纹产生;同时其介电常数最大而损耗最低。

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