【摘 要】
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作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一，负电子亲和势砷化镓（NEA-GaAs）光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热点。热发射度是电子束能够实现的发射度下限
【机 构】
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中国工程物理研究院应用电子学研究所
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作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一，负电子亲和势砷化镓（NEA-GaAs）光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热点。热发射度是电子束能够实现的发射度下限，测量热发射度有利于确定注入器能否提供高亮度的电子束。本文理论计算了NEA-GaAs光阴极热发射度数值范围，并基于中国工程物理研究院自由电子激光相干强太赫兹源（FEL-THz）装置，在28fC的极低电荷量下，采用螺线管扫描法初步测量了NEA-GaAs光阴极的热发射度。结果显示，NEA-GaAs光阴极的热发射度为（0．603±
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