多晶硅微机械开关

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wjln123456

【摘要】

：

利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶

【作者】

：

张正元温志渝徐世六张正番李开成黄尚廉

【机构】

：

重庆大学光电工程学院,模拟集成电路国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

多晶硅微机械开关悬臂梁牺牲层恢复力 poly-silicon micromachined switch cantilever sacrificial la

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利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题,获得了淀积弱张应力的多晶硅膜的最佳工艺条件,研制出多晶硅微机械开关.初步测试出其开关的开启电压为89V,开关速度为5μs,这为研制用于雷达和通讯的全单片集成的RF MEMS开关系统打下了基础.

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