【摘 要】
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采用热压工艺制备了PTFE／SiO2微波复合基板材料，研究了热压温度对PTFE／SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高，熔限先
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用热压工艺制备了PTFE／SiO2微波复合基板材料，研究了热压温度对PTFE／SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高，熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现，热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔，材料内部气孔数目增多，从而导致材料密度、相对介电常数下降，吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用，介电损耗先降低后增高，热导率疋则先增高后降低．热压温度为370℃时，复合材料性能较好（ετ=-2．90，tanδ=0．001l
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