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使用Ge-NaI双探头系统,同时用符合技术对信号进行选择,测量出Si的一维符合正电子湮没多普勒展宽谱线,此技术可大幅度降低谱线本底,使得谱线峰高与本底之比大于104。可以直接反映高能端核心电子信息。
单通道符合正电子湮没多普勒展宽实验技术
【摘 要】
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使用Ge-NaI双探头系统,同时用符合技术对信号进行选择,测量出Si的一维符合正电子湮没多普勒展宽谱线,此技术可大幅度降低谱线本底,使得谱线峰高与本底之比大于104。可以直接
【机 构】
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仰恩大学计算机与信息学院
【出 处】
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装备制造技术
【发表日期】
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2014年9期
【基金项目】
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仰恩大学科研培育计划项目编号KJ20143002,福建省教育厅项目（JB14065）
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