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研究了深亚微米pMOS器件HCI（hot carrier injection）退化模型．采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述，基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型，并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法，用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测．最后给出了仿真结果对比．该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析．