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设计了一款高精度、低电源电压的CMOS带隙基准源，具有良好的电源抑制比。电路采用电流模结构和反馈控制实现了低电压、低功耗和高电源抑制比。基于0．25μm CMOS工艺，测试结果表明：在1V电源电压下，1KHz频率时，电源抑制比约为80dB，在0—70℃温度范围内，输出电压变化率不超过0．3％。
低电压、高PSRR的带隙电压基准源
【摘 要】
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设计了一款高精度、低电源电压的CMOS带隙基准源，具有良好的电源抑制比。电路采用电流模结构和反馈控制实现了低电压、低功耗和高电源抑制比。基于0．25μm CMOS工艺，测试结果表
【机 构】
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西安邮电学院电子与信息工程系
【出 处】
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西安邮电学院学报
【发表日期】
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2009年1期
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