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在有氧和无氧气氛条件下，采用真空电子束热蒸发技术在P—Si（100）硅衬底上制备了HfO2薄膜．利用X射线光电子能谱，对薄膜的化学组分进行表征，利用椭偏法对薄膜的膜厚和折射率进行测定，利用紫外可见光谱测量了薄膜的在200nm～1200nm范围内的光透过率，并计算出其光学能隙，利用C-V测试系统对退火后薄膜的介电性能进行测试．结果表明，有氧和无氧条件下制备的薄膜中组分含量存在明显差异，相比于无氧条件下制备的薄膜，有氧条件下制备的薄膜中含有较少的铪单质，因而在可见光范围内具有较高透光率和光学能隙，较低的折射率