大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究

来源 :液晶与显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ltycongc2008

【摘要】

：

报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝（AlN）纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30

【作者】

：

苏赞加刘飞李力莫富尧金顺玉陈军邓少芝许宁生

【机构】

：

中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室；显示材料与技术广东省重点实验室

【出处】

：

液晶与显示

【发表日期】

：

2010年4期

【关键词】

：

AlN超长纳米线无催化剂场发射 AlN ultra-long nanowires catalyst-free field emission

【基金项目】

：

国家自然基金委-广东省联合基金（No.U0634002,No.U0734003）,国家自然科学基金（No.50802117）,教育部博士点基金（No.20070558063）,中山大学青年教师培育基金（No.09lgpy28）

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报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝（AlN）纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30～125nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3V/μm,阈值电场为12.2V/μm,最大电流密度达1440μA/cm^2。这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料。更多还原

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