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近年来，利用氮化硅局部电荷储存原理，取代浮停闸（Floating Gate）内存晶胞的研究越来越多。因此关于氮化硅内存部件可靠度的研究也越显得重要。本文着重于研究由闸极蚀刻所引发的形状效应，并且讨论其在NAND数组下所反应出来的部件特性。
控制闸极蚀刻，垂直比较好!
【摘 要】
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近年来，利用氮化硅局部电荷储存原理，取代浮停闸（Floating Gate）内存晶胞的研究越来越多。因此关于氮化硅内存部件可靠度的研究也越显得重要。本文着重于研究由闸极蚀刻所引发的
【出 处】
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电子与电脑
【发表日期】
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2010年7期
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