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论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面，建立了集成天线的模型，给出了合理的设计方案，并通过实验验证了模型和设计方案．实验结果表明，采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量．在频率为22．5MHz、感应强度为6×10^-4T的磁场中，面积为2mm×2mm的集成天线可以为10kΩ的负载提供1．225mW的能量．