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翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量。通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析，阐述了产生的原因，并得出了翘曲度的分布规律。针对影响翘曲度的主要因素，根据其分布规律调整相应的切割工艺条件，可较好地控制晶片的翘曲度。虽是针对Si单晶加工中出现的实验情况进行分析，但该结论完全可用于Ge、GaAs等其他晶体的加工中。