论文部分内容阅读
利用PECVD生长技术制备a-Si/SiNx多层膜,利用解理技术获得干净平滑的截面.利用选择性化学腐蚀技术在横截面上制备出浮雕型一维纳米模板.通过控制多层膜子层的生长时间,得到线条宽度和槽状宽度均最小为20纳米的等间距模板,品质优于电子束制备的模板.以这种模板为基础,利用印章技术制作了硅基光栅.