六角排列碳纳米管阵列的场增强因子的计算

来源 :兰州理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q372245556
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通过求解Laplace方程得到六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列的管尖端电场强度和场增强因子,具体研究CNTs的自身线度、阵列密度及阵列形状对CNTs的场增强因子的影响.研究结果表明,场增强因子随CNTs长径比的增加而增加,对于长径比一定的CNTs阵列,对应着一个最佳阵列密度,如管长为6μm、管径分别为5nm、13nm、20nm的CNTs阵列对应的最佳阵列密度为3.05×10^11cm^-2、4.83×10^10cm^-2、2.12×10^10cm^-2.在相同的阵列密度下,
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