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SiC MESFET由于其高击穿电压和低输出电容，适合用于设计E类功率放大器。设计了一种结构简单的微带线拓扑E类负载网络，可以匹配至标准电阻，且抑制高至5阶的谐波。用ADS软件进行电路仿真，在2．14GHz频率点下，峰值功率附加效率（PAE）为70．5％，漏极效率可达80％，功率增益约为10dB。