【摘 要】
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Hittite Microwave公司已研制成 HBT 单片微波集成电路功率放大器,工作频率为4.4～6 GHz封装于具有外部基座无引线 SMP(Surface—Mount package),以改进 RF(射频)性能和高温性
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Hittite Microwave公司已研制成 HBT 单片微波集成电路功率放大器,工作频率为4.4～6 GHz封装于具有外部基座无引线 SMP(Surface—Mount package),以改进 RF(射频)性能和高温性能。MMIC 功率放大器的型号为 HMC415 LP3,其性能:增益为20 dB,饱和功率为+26 dBm,PAE 为34%,电源电压为3V。
Hittite Microwave has developed the HBT monolithic microwave integrated circuit power amplifier operating at 4.4 to 6 GHz with an external base SMP (Surface Mount Mount) to improve RF (radio frequency) performance and high temperature performance. The MMIC power amplifier model HMC415 LP3, its performance: gain of 20 dB, the saturation power of +26 dBm, PAE is 34%, the supply voltage is 3V.
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