【摘 要】
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Sb2Te3基半导体合金是目前性能较好的热电半导体材料。将材料低维化处理可以获得较块状材料更大的热电优值。通过磁控溅射工艺制备低维Sb2Te3薄膜,并通过AFM、XRD和XPS测试方
【机 构】
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哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室;大庆油田第二采油厂;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(项目编号:51105104)
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Sb2Te3基半导体合金是目前性能较好的热电半导体材料。将材料低维化处理可以获得较块状材料更大的热电优值。通过磁控溅射工艺制备低维Sb2Te3薄膜,并通过AFM、XRD和XPS测试方法对薄膜的成分、薄膜表面以及原子偏析进行表征。通过退火工艺去除薄膜应力,观察退火工艺前后薄膜表面形貌的变化以及退火温度对薄膜表面质量的影响。试验结果表明通过磁控溅射工艺所制备出的Sb2Te3薄膜为非晶态,随着溅射功率增大,薄膜的表面粗糙度增大。退火可使薄膜变为晶态,但是表面粗糙度增大。较大或较小溅射功率下所制备的薄膜其合金成分与合金靶材有较大偏差。
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