论文部分内容阅读
对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加，经过1650℃退火后，钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×10^10Ω·cm和7.6×10^6Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析，发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙，抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火，也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。