【摘 要】
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随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈,宽禁带半导体器件（GaN、SiC）在诸多方面展现出了很好的性能,如低导通阻抗,小输入、输出电容等,这些特性使得GaN和SiC器件能够应用在更高
【机 构】
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哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院
【基金项目】
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光宝电力电子技术科研基金资助项目（HIT-2014-02）
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随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈,宽禁带半导体器件（GaN、SiC）在诸多方面展现出了很好的性能,如低导通阻抗,小输入、输出电容等,这些特性使得GaN和SiC器件能够应用在更高的开关频率条件,从而提高系统的功率密度。针对基于GaN FETs构成的高频半桥谐振变换器进行设计,分析了高频条件下寄生电感参数对系统驱动电压及漏源极电压的影响,同时分析了高频条件下系统电压电流测量所需注意的事项及影响因素,为高频条件下GaN FETs的应用提供一定的帮助。
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