实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sevinlee

【摘要】

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报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器．外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长，有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层．器件采用pnpn结限制掩

【作者】

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林涛郑凯王翠鸾王俊王勇刚仲莉冯小明马骁宇

【机构】

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中国科学院半导体研究所光电子器件工程中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年8期

【关键词】

：

金属有机物化学气相沉积半导体激光器 1730nm波段磷化铟 MOCVD semiconductor laser diode 1730nm waveband

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报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器．外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长，有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层．器件采用pnpn结限制掩埋结构，有源区脊宽2μm、腔长300μm．室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA，8mW输出功率时的工作电流为60±5mA．采用TO封装后，100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW，输出波长为1732±10nm，高温恒流加速老化筛选实验表明，器件具有长期工作的

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