三相桥式可控硅装置中正向电压上升率造成的误触发及其解决措施

来源 :鞍山钢铁学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:robbieqzl
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在几台三相桥式反并联无环流可控硅供电装置的调试中,都遇到了由于可控硅元件的断态临界电压上升率过低,发生换相正向电压上升率造成本桥以及反并联结线中他矫误触发的情况。严重时使可控硅装置不能工作,甚至不得不全部更换可控硅元件。本文仅就这一问题做一粗浅分析。 In several sets of three-phase bridge anti-parallel AC / DC thyristor power supply debugging, have encountered due to thyristor threshold voltage rise rate is too low, the occurrence of commutation positive voltage rise caused by the bridge and Anti-parallel connection in the line he misjudged the trigger situation. Serious SCR device can not work, or even have to replace the SCR components. This article only makes a superficial analysis of this issue.
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