【摘 要】
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在分离式二极管的基础上,实现了220 GHz高效率的二倍频器结构.该倍频器的电路在450μm宽,2. 7mm长的50μm石英基片上实现.测试结果表明,在室温下当驱动功率在46. 4～164 mW时,
【机 构】
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中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心; 中国工程物理研究院电子工程研究所;
【基金项目】
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Supported by the National Key Basic Research Program of China(2015CB755406);the Defense Industrial Technology Development Program(JCKY2016212C045,JCKY2017212C002)
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在分离式二极管的基础上,实现了220 GHz高效率的二倍频器结构.该倍频器的电路在450μm宽,2. 7mm长的50μm石英基片上实现.测试结果表明,在室温下当驱动功率在46. 4～164 mW时,在214～226 GHz的频段内能够实现大于16%的倍频效率.另外,当驱动功率在161 mW时,倍频器在218 GHz频点能够输出最高功率32 mW,并且在多个频点拥有高于20%的倍频效率.实验证明,所实现的二倍频器能够作为660 GHz倍频链路的驱动前级使用.
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