微波功率SiGe HBT的温度特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：forsanwang

【摘要】

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通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使

【作者】

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杨经伟张万荣金冬月邱建军高攀

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

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SIGE HBT 温度特性微波功率晶体管

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:60376033),北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301)和模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目

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通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.

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