高性能图形化SOI功率器件的研制

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：youlishi

【摘要】

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利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应

【作者】

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程新红宋朝瑞杨文伟俞跃辉

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

图形化SOI技术 LDMOS 射频功率器件增益 patterned SOI technology LDMOS RF power device gain

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利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS 功率器件.器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB.直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景.

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