【摘 要】
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基于第三代半导体Ga N的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH4001O管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用Ga N管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反馈
【机 构】
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电子科技大学电子科学技术研究院; 中国科学院微电子研究所;
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基于第三代半导体Ga N的高电子迁移率晶体管技术,利用Cree CGH4001O管芯大信号模型并结合ADS2009U1软件,结合商用Ga N管芯的自身特性,采用微带-电阻-微带-电容-微带的负反馈回路和整体负载牵引方法及宽带匹配网络,成功设计并实现了30~2 600 MHz超过6个倍频程的超宽带功率放大器。测试结果表明,该功率放大器的带内线性增益大于11.8 d B,线性增益平坦度小于±0.95 d B,输入回波小于-10.2 d B,1 d B压缩点输出功率大于36.5 d Bm,功率附加效率大于22%,饱和时输出功率大于39.1 d Bm,功率附加效率大于28%。该功率放大器在很宽的频带内有着平坦的增益,适用于对平坦度要求较高的超宽带系统中。
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