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报道了用分子束外延（MBE）方法生长的掺杂InGaAs吸收层PINInP／InGaAs,／InP双异质结外延材料，通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺，制备了128×1台面正照射InGaA。探测器阵列．测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率，在278K时平均峰值探测率为1．03×10^12cmHz^1/2W^-1．实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连，经封装后，在室温（291K）时成功测出128元响应信号．焦平面