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钝化膜抗γ辐照的研究
钝化膜抗γ辐照的研究
来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hulielie310
【摘 要】
:
研究了几种不同的钝化膜的γ辐照特性,初步揭示单纯的SiO2膜不具备抗γ辐照的能力,厚度为100nm涂有聚酰亚胺的SiO2膜当辐照剂量小于10^6拉德(Si)时具有良好的抗γ辐照作用。同时指出了四甲基氢氧化胺
【作 者】
:
张济龙
【机 构】
:
西南农业大学基础科技学院物理系
【出 处】
:
半导体杂志
【发表日期】
:
1997年4期
【关键词】
:
钝化膜
半导体器件
抗电子辐射
passivated thin filminterfaceFlatband Voltage
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研究了几种不同的钝化膜的γ辐照特性,初步揭示单纯的SiO2膜不具备抗γ辐照的能力,厚度为100nm涂有聚酰亚胺的SiO2膜当辐照剂量小于10^6拉德(Si)时具有良好的抗γ辐照作用。同时指出了四甲基氢氧化胺对Si-SiO2界面也有影响。
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