论文部分内容阅读
采用１ＭｅＶ高能电子，选择７种辐照剂量：１０￣（１３）、３×１０￣（１３）、１０￣（１４）、３×１０￣（１４）、１０￣（１５）、３×１０￣（１５）、１０￣（１６）ｃｍ￣（－２），对两种不同电阻率的Ｎ型单品硅进行电子辐照。采用光伏方法测量辐照前后单晶硅少子寿命的变化，并计算了电子辐照所引入的缺陷浓度。研究高能电子辐照对半导体器件性能的影响及其在电子开关器件制造工艺中的应用。