论文部分内容阅读
通过向TiO2粉体中加入质量分数为1%-15%的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法（PLD）用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800-1000℃下退火。对薄膜结构和光学性质的研究表明1000℃退火条件下浓度为1%Ga2O3掺杂能有效将金红石相TiO2的禁带宽度减小至2.62 eV,使其吸收边红移动至470 nm。