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采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250V/10μA。通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50V/1mA,栅源击穿电压大于40V/1mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20W,功率增益7dB,功率密度8W/mm。