【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0
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日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。
Vishay Intertechnology, Inc. today announced the SiA447DJ, a new single 12 V device in a thermally enhanced 2 mm × 2 mm PoWerPAK® SC-70 package, as well as a 3 mm × 1.8 mm PoWerPAK ChipFET package with 0.8 mm The Si5429DU, a single 30 V device, expands its TrenchFET Gen III family of P-channel power MOSFETs. Both MOSFETs feature a small footprint, with the lowest on-resistance of the product in the corresponding form factor at 4.5V.
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