论文部分内容阅读
0引言通常功率场效管内部（栅-源极间）制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大。因此,为了提高其开关速度,必须充分考虑栅极输入电容的影响,保证输入电容在开关过程中能很快充放电,因此,在设计功率MOSFET栅极驱动电路时,还必须使控制回路与功率MOSFET构成的主回路之间完全隔离。