【摘 要】
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这是一种基于Global拟合归一化的晶片级栅氧TDDB可靠性寿命的评估方法,根据栅氧化层TDDB失效累积时间遵从威布尔分布,对测试数据进行Global拟合处理,对常规TDDB Weibull分布
【机 构】
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先进半导体制造股份有限公司,上海电力学院
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这是一种基于Global拟合归一化的晶片级栅氧TDDB可靠性寿命的评估方法,根据栅氧化层TDDB失效累积时间遵从威布尔分布,对测试数据进行Global拟合处理,对常规TDDB Weibull分布进行修正。通过整套工艺中各种不同结构及面积的TDDB测试结构失效率归一化处理,获得单位面积的栅氧失效率,通过E模型外推正常工作条件下的栅氧寿命。通过比较分析发现了引起栅氧寿命波动的合金化工艺温度问题,对该工艺条件分组实验,获得较佳的工艺温度窗口。该方法能对整套工艺TDDB可靠性进行初步的分析评估,有效减少TDDB可
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