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利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现，这种半绝缘晶体中除Ｃ外还存在其它受主在电补偿中起重要作用。
非掺杂半绝缘LEC GaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
【摘 要】
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利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣ ＧａＡｓ中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现，这种半绝缘晶体中除Ｃ外还存在其它受主在电补偿中起重要
【机 构】
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河北工业大学电子系,天津电子材料研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年4期
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