【摘 要】
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设计了单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷密度等参数对开路电压、短路电流、填充因子
【机 构】
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东北石油大学电子科学学院,黑龙江省高校校企共建测试计量技术及仪器仪表工程研发中心
【基金项目】
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黑龙江省高等教育教学改革一般研究项目(SJGY20190100)
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设计了单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷密度等参数对开路电压、短路电流、填充因子和转化效率的影响。结果显示,背场层带隙在1.5~1.7 eV之间,背场层的掺杂浓度大于1×10^18 cm^-3时,该结构的太阳能电池有比较稳定的表现。缺陷密度增加时,太阳能电池效率随着缺陷密度的对数线性减小,当控制缺陷密度在10^11 cm^-3以下时,可以获得大于24.10%的转化效率,缺陷密
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